锁存位置传感器集成电路

锁存至初始极（北或南），直至传感器集成电路附近带有相反极性、足够强度磁场。

锁存传感器集成电路锁存初始极（北或南），直至传感器集成电路附近具有相反极性的足够强度的磁场。

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